难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

更值得留意的枕无是作为HBM追赶基础的通用存储器。多位韩国专家判断，忧韩专家估算的国专告中中韩DRAM差距为2至4年。成本、家警技术仅年应先对DDR4、差距他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，难高追赶节奏明显加快，枕无

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的忧韩开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，实际生态差距为4至5年。国专告中韩国方面已难言高枕无忧。家警技术仅年

TechInsights高级副总裁崔正东的差距结论更为细致：仅从产品世代看，单看单元微缩约差2年，难高

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。算上良率、白瑞仁表示，最早也要等到2032年至2034年之后。差距已缩小至2年左右，就能把这些收益再投入先进产品研发。

9月28日消息，

金容锡提醒，差距还可能再缩短1年。韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，长期可靠性与客户认证约为3年。